新京报讯（记者 樊朔）12月5日，记者从电子科技大学获悉，著名半导体器件物理学家、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效于在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系，曾先后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系、中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。2015年5月获得国际功率半导体器件与集成电路会议（IEEE ISPSD）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，是亚太地区首位获此荣誉的科学家。2018年5月入选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂，系国内首位入选的科学家。

陈星弼被誉为中国功率半导体领域的领路人。功率半导体器件主要用于改变电压和频率，是实现电能转换的核心器件，被广泛应用于电气设备或功率设备的主电路中。陈星弼是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，该发明打破了传统半导体器件的“硅极限”，被国际学术界称为“功率器件的新里程碑“。“超结结构”发明专利（US 5216275）被其他国际专利引用超过550次。此外，陈星弼曾获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等。

据了解，陈星弼先生遗体告别仪式定于12月10日上午9：00在成都市殡仪馆（磨盘山）举行。

新京报记者 樊朔 校对 刘军